Plasma-Induced Charging Damage in Ultrathin (3-nm) Gate Oxides

机译：超薄（3-nm）栅氧化层中等离子体诱导的充电损伤

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Chi-chun Chen; Horng-chih Lin; Chun-yen Chang; Mong-song Liang; Chao-hsin Chien; Szu-kang Hsien; Tiao-yuan Huang; Tien-sheng Chao;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Plasma-induced charging damage in ultrathin (3-nm) gate oxides [J] . Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin IEEE Transactions on Electron Devices . 2000,第7期

机译：等离子体诱导的超薄（3 nm）栅极氧化物中的电荷损伤
2. Effects of Polysilicon Gate Doping Concentration on Plasma Charging Damage in Ultrathin Gate Oxides [J] . Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Chun-Yen Chang, Electrochemical and solid-state letters . 2000,第2期

机译：多晶硅栅掺杂浓度对超薄栅氧化物等离子体充电损伤的影响
3. Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with SiO_2 and high-k gate dielectrics [J] . Masayuki Kamei, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Japanese journal of applied physics . 2014,第3S2期

机译：等离子体诱导的电荷损伤对具有SiO_2和高k栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中随机电报噪声的影响
4. Plasma-induced charging damage in ultrathin (3 nm) nitrided oxides [C] . Chen, C.-C., Lin, . 1999

机译：等离子体诱导的超薄（3 nm）氮化氧化物中的电荷损伤
5. Thin oxide damage from plasma-induced wafer charging [D] . Fang, Sychyi 1993

机译：等离子体诱导的晶片充电会造成薄氧化物损坏
6. Nonthermal Dielectric-Barrier Discharge Plasma-Induced Inactivation Involves Oxidative DNA Damage and Membrane Lipid Peroxidation in Escherichia coli [O] . Suresh G. Joshi, Moogega Cooper, Adam Yost, 2011

机译：非热介电屏障放电等离子体诱导的灭活涉及大肠杆菌中的氧化性DNA损伤和膜脂质过氧化。
7. Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics [O] . Shiyang Zhu, Anri Nakajima, Takuo Ohashi, 2005

机译：具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
8. Interfacial and Breakdown Characteristics of MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Devices with Rapidly Grown Ultrathin SiO2 Gate Insulators. [R] . Moslehi, M. M., Shatas, S. C., Saraswat, K. C., 1987

机译：具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs（金属氧化物半导体）器件的界面和击穿特性。

Plasma-Induced Charging Damage in Ultrathin (3-nm) Gate Oxides

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅